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真空鍍膜技術(shù)的一般術(shù)語及工藝

       1.1真空鍍膜vacuumcoating：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。
       1.2基片substrate：膜層承受體。
       1.3試驗(yàn)基片testingsubstrate：在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結(jié)束后用作測(cè)量和（或）試驗(yàn)的基片。
       1.4鍍膜材料coatingmaterial：用來制取膜層的原材料。
       1.5蒸發(fā)材料evaporationmaterial：在真空蒸發(fā)中用來蒸發(fā)的鍍膜材料。
       1.6濺射材料sputteringmaterial：有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。
       1.7膜層材料（膜層材質(zhì)）filmmaterial：組成膜層的材料。
       1.8蒸發(fā)速率evaporationrate：在給定時(shí)間間隔內(nèi)，蒸發(fā)出來的材料量，除以該時(shí)間間隔
       1.9濺射速率sputteringrate：在給定時(shí)間間隔內(nèi)，濺射出來的材料量，除以該時(shí)間間隔。
       1.10沉積速率depositionrate：在給定時(shí)間間隔內(nèi)，沉積在基片上的材料量，除以該時(shí)間間隔和基片表面積。
       1.11鍍膜角度coatingangle：入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。
       2工藝
       2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating：使鍍膜材料蒸發(fā)的真空鍍膜過程。
       2.1.1同時(shí)蒸發(fā)simultaneousevaporation：用數(shù)個(gè)蒸發(fā)器把各種蒸發(fā)材料同時(shí)蒸鍍到基片上的真空蒸發(fā)。
       2.1.2蒸發(fā)場(chǎng)蒸發(fā)evaporationfieldevaporation：由蒸發(fā)場(chǎng)同時(shí)蒸發(fā)的材料到基片上進(jìn)行蒸鍍的真空蒸發(fā)（此工藝應(yīng)用于大面積蒸發(fā)以獲得到理想的膜厚分布）。
       2.1.3反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactivevacuumevaporation：通過與氣體反應(yīng)獲得化學(xué)成分的膜層材料的真空蒸發(fā)。
       2.1.4蒸發(fā)器中的反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactivevacuumevaporationinevaporator：與蒸發(fā)器中各種蒸發(fā)材料反應(yīng)，而獲得理想化學(xué)成分膜層材料的真空蒸發(fā)。
       2.1.5直接加熱的蒸發(fā)directheatingevaporation：蒸發(fā)材料蒸發(fā)所必須的熱量是對(duì)蒸發(fā)材料（在坩堝中或不用坩堝）本身加熱的蒸發(fā)。
       2.1.6感應(yīng)加熱蒸發(fā)inducedheatingevaporation：蒸發(fā)材料通過感應(yīng)渦流加熱的蒸發(fā)。
       2.1.7電子束蒸發(fā)electronbeamevaporation：通過電子轟擊使蒸發(fā)材料加熱的蒸發(fā)。